极紫外光刻动态气体锁抑制率的理论研究

摘要：

从理论上系统性地研究了动态气体锁抑制率,提出了动态气体锁理论分析模型.通过理论分析推导出单组分和多组分清洁气体在等截面或者变截面条件下的动态气体锁抑制率解析表达式,并对单组分清洁气体在等截面和变截面条件下的动态气体锁抑制率进行了比较.研究结果表明,当抑制率为85％以上时,可以近似地使用等截面假设来计算动态气体锁抑制率,且应以清洁气体出口处截面面积作为动态气体锁平均截面面积;动态气体锁抑制率与动态气体锁结构以及清洁气体相关量值有关,当给定动态气体锁结构和扩散系数时,动态气体锁抑制率随着向硅片台腔室扩散的气体体积流量的增大而增大.该动态气体锁抑制率理论研究体系,能够为极紫外(EUV)光刻机动态气体锁的研制提供理论依据.

关键词：X射线光学、极紫外光刻机、动态气体锁、抑制率、清洁气体

所属期刊栏目：53

分类号：TN23;O439(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家科技重大专项2012ZX02702007

在线出版日期：2017-05-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：315-323