InGaN基发光二极管光效下降效应研究进展

摘要：

InGaN基发光二极管(LED)芯片大电流密度下效率的下降影响了其在功率型器件方面的应用,因此效率下降的原因和克服的方法成了当前的研究热点.综述了近年来研究者提出的光效下降效应的几种产生机制,包括Read-Shockley-Hall (RSH)复合、俄歇复合、载流子局域化、极化电场、载流子注入效率及热效应等.同时介绍了一些克服光效下降效应的方法.

关键词：光学器件、LED、光效下降效应、外量子效率

所属期刊栏目：49

分类号：TN312+.8(半导体技术)

在线出版日期：2013-02-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：15-21