GaN基蓝光大功率发光二极管的研制

摘要：

采用一种自对准制造工艺和倒装芯片的装配技术,研制出GaN基蓝光大功率发光二极管(1mm×1mm).其光学参数:总辐射功率143.19 mW,光通量8.86h,发光效率7.291m/W,峰值波长462m,半峰全宽24 nm;其电学参数:正向电压3.47V、正向电流350 mA.对相关工艺进行了简要讨论.

关键词：大功率发光二极管、自对准、倒装

所属期刊栏目：43

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划20000683-02;北京市教委资助项目2002kj018;北京工业大学校科研和教改项目kz0204200387;北京市科委科研项目D0404003040221

在线出版日期：2006-09-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：41-43