微米级硅的打孔和切割
虽然硅是微技术的重要材料，但由于它较小的刻蚀率(5 μm/min)以及耗时和高费用支出，在用光刻法制造样品或小批量生产中至今并不吸引人。 左：用飞秒钛蓝宝石激光在380 μm厚Si(100)(边缘角α<1°)上打直通孔时的光束出射口；右：该直通孔的造形在汉诺威激光中心(LZH)正在进行一项研究，采用新的射线源进行硅的切割和打孔。常规的射线源如CO2或Nd∶YAG激光器会在表面产生不希望有的熔融、微裂纹和沉积。但采用倍频Nd∶YAG激光(波长532 nm，脉冲持续时间10 ns)和飞秒Ti∶蓝宝石激光就很有成效。这些由Ti∶蓝宝石激光器生成的直道孔(在380 μm厚的硅板上形成64个孔的矩阵，在印刷工业中用作喷嘴板)非常出色，从喷嘴边缘以及平滑的孔壁可以看出质量非常高。在出口一边没有微裂纹、熔融边缘，也没有沉积。打孔时间大约1 min。采用倍频Nd∶YAG激光打孔时间还会短些，(打孔时间为2 s；材料为500 μm厚的硅片)，然而孔的总体质量逊色于用Ti∶蓝宝石激光器打的直通孔。光束入口处出现了沉积，当然用丙酮很易消除。已计划进一步进行355 nm和266 nm波长(多倍频Nd∶YAG激光器)的研究。
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TN2(光电子技术、激光技术)
2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
64-封三
