单晶SiC基片的磁流变化学复合抛光

摘要：

基于芬顿反应的磁流变化学复合抛光加工原理,对单晶SiC基片进行磁流变化学复合抛光试验,研究工艺参数对其抛光效果的影响.结果表明:随着金刚石磨粒粒径的增大,材料去除率先增大后减小,而表面粗糙度先减小后增大;随着磨粒质量分数的增大,材料去除率增大,而表面粗糙度先减小后增大;当羰基铁粉质量分数增大时,材料去除率增大,而表面粗糙度呈先减小后增大的趋势;随着氧化剂质量分数增大,材料去除率先增大后减小,而表面粗糙度呈现先减小后增大的趋势;加工间隙对材料去除率的影响较大,加工间隙为1.0 mm时,加工表面质量较好;随着工件转速和抛光盘转速增大,材料去除率均先增大后减小,表面粗糙度均先减小后增大.获得的优化的工艺参数为:磨粒粒径,1.0μm;磨粒质量分数,5％;羰基铁粉质量分数,25％;过氧化氢质量分数,5％;加工间隙,1.0 mm;工件转速,500 r/min;抛光盘转速,20 r/min.采用优化的工艺参数对表面粗糙度约为40.00 nm的单晶SiC进行加工,获得表面粗糙度为0.10 nm以下的光滑表面.

关键词：磁流变化学复合抛光、芬顿反应、SiC

所属期刊栏目：42

分类号：TG58;TH162(金属切削加工及机床)

资助基金：广东省基础与应用基础研究基金;广东省基础与应用基础研究基金

在线出版日期：2022-03-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：129-135