MPCVD法制备金刚石膜的工艺

摘要：

采用3 kW/2450 MHz微波等离子体化学气相沉积(microwave plasma chemical vapor deposi-tion,MPCVD)系统,以单晶硅为基底材料,采用单因素试验法研究微米级金刚石膜的生长工艺,分别探究衬底温度、腔体压强和甲烷体积分数对金刚石成膜过程的影响,获得微米级金刚石膜的最优生长工艺.结果表明:金刚石膜的生长速率与衬底温度、腔体压强、甲烷体积分数呈正相关;衬底温度和腔体压强对金刚石膜质量的影响存在最佳的临界值,甲烷体积分数过高不利于形成金刚石相.金刚石膜生长的最佳工艺参数为:功率为2200 W,衬底温度为850℃,腔体压强为14 kPa,甲烷的体积分数为2.5％.在此条件下,金刚石膜生长速率为1.706μm/h,金刚石相含量为87.92％.

关键词：金刚石膜、微波等离子体化学气相沉积、制备工艺

所属期刊栏目：41

分类号：TB383.2;TQ164(工程材料学)

在线出版日期：2022-01-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：31-37