硅片化学机械抛光技术的研究进展

摘要：

随着硅片厚度的增大和芯片厚度的减小,硅片在加工中的材料去除量增大,如何提高其加工效率就成了研究的热点之一.由于化学机械抛光过程复杂,抛光后硅片的质量受到多种因素的影响,主要包括抛光设备的技术参数、耗材(抛光垫和抛光液)的性质和硅片自身在抛光时的接触应力状态等.本文介绍了硅片化学机械抛光技术的研究进展,讨论了影响硅片抛光后表面质量和表面材料去除率的因素,如抛光液、抛光垫、抛光压力等,并对目前用于硅片化学机械抛光的先进设备进行了综述.

关键词：硅片、化学机械抛光、抛光液、抛光垫、抛光设备

所属期刊栏目：40

分类号：TG58;TN405(金属切削加工及机床)

资助基金：国家自然科学基金;装备预研项目;国家重点研发计划

在线出版日期：2020-09-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：24-33