ECR等离子体刻蚀CVD金刚石膜的研究
在自主设计的具有非对称磁镜场位形的ECR等离子体装置上进行CVD金刚石膜的刻蚀实验,研究了基片温度、工作气压和磁场位形三个工艺参数对刻蚀效果的影响.实验结果表明:通过此方法刻蚀的CVD金刚石膜,其晶粒顶端被优先刻蚀,表面粗糙度降低.实际数据显示,刻蚀温度为20℃和150℃时,后者的刻蚀效果更好;工作气压为2×10-3 Pa和3×10-2 Pa时,前者的刻蚀效果更好;磁场强度为0.2T和0.15T时,前者的刻蚀效果更强.
ECR等离子体、CVD金刚石膜、刻蚀、基片温度、工作气压、磁场位形
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TQ164
国家自然科学基金资助项目10875093
2013-04-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
23-25,30