MOSFET瞬态脉冲热阻的测量及其变化规律研究

摘要：

半导体器件正不断朝高功率、高电压、大电流方向发展,随之而来的是高功率带来的发热和散热难题.现以MOSFET作为研究对象,对瞬态热阻进行测量与分析,研究MOSFET瞬态热阻在不同栅极电压下的变化规律.实验结果表明,MOSFET瞬态热阻随栅极电压VGS绝对值的增大而减小,但对于不同的器件,热阻减小的幅度不同.通过分析得到引起上述现象的原因在于,当栅极电压变化时,沟道和漂移区的物理尺寸发生变化,从而对热流的扩散长度产生影响,改变了通道的导通电阻分布,并且导电通道内的峰值温度点会发生变化.

关键词：MOSFET、瞬态脉冲热阻、栅极电压、瞬态双界面法

分类号：TN407(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2022-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

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