高热流密度芯片传热路径影响分析

摘要：

随着以SiC、GaN为代表的宽禁带半导体材料的发展,高功率密度电子元器件在军用电子装备上得到了更为广泛的应用,其中GaN功放芯片在T/R组件中的应用越来越广泛.现从GaN功放芯片着手,分析了其传热路径的热阻特性,研究了封装盒体材料、热界面材料、芯片尺寸参数等对传热路径热阻的影响,为解决未来高热流密度功放芯片散热问题提供了可行的参考方案.

关键词：高热流密度、GaN、传热路径热阻

分类号：TM4;V24

在线出版日期：2017-09-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：110-113