DC-DC变换器中IGBT并联不均流及开关损耗问题研究

摘要：

分析了影响DC-DC变换器中IGBT并联均流的主要因素,并提出了相应的改善措施；同时,采取IGBT与MOSFET并联的方法,减小了IGBT的动态损耗,仿真分析结果说明该方法是有效的.

关键词：IGBT、并联均流、动态损耗

分类号：U66;TP3

在线出版日期：2013-08-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：34-35