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非晶硅太阳能电池中BZO导电膜的激光刻蚀工艺研究

引用
主要研究非晶硅太阳能电池中ZnO:B (BZO)导电膜的激光刻蚀工艺.以厚度为1.2 um的BZO导电膜为刻蚀对象,使用1064 nm红外激光进行刻蚀探讨.实验中通过改变激光电流、脉冲频率、刻蚀速率等参数进行对比实验.当激光刻蚀参数为:电流为35 A、脉冲频率为40 KHz、刻线速率为600 mm/s时,可以获得无导通连接点、无空洞、无烧蚀区域、宽度为35um的较佳激光刻线.

BZO导电膜、激光刻蚀、1064 nm、刻蚀速率

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TQ171

2014-08-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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长治学院学报

1673-2014

14-1328/Z

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2014,31(2)

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