一种基于CMOS工艺的91.6～93.2 GHz压控振荡器设计

摘要：

基于硅基65 nm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺,设计了一款工作频率为91.6～93.2 GHz的压控振荡器(Voltage Control Oscillator,VCO).使用基于变压器结构的高品质因子电感改善了VCO电路的相位噪声,并采用金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)开关阵列和变容管共同实现了该VCO电路的频率调谐.VCO的输出信号通过电感的耦合线圈输出,降低了电路版图布版难度.仿真实验结果表明,提出的VCO电路的功耗为13.6 mW,调谐范围为1.6 GHz,输出功率大于-14.5 dBm,偏离振荡频率10 M Hz处的相位噪声优于-107.7 dBc/Hz.

关键词：CMOS工艺;压控振荡器;电感;变容管;调谐范围;相位噪声

所属期刊栏目：41

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2021-08-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：13-18,39