基于GaN HEMT宽带高效率功率放大器的设计

摘要：

设计一款工作于0.8 GHz~3.0 GHz的宽带功率放大器,有源器件采用Cree公司提供的CGH40010F GaN HEMT晶体管.利用ADS软件对功率管的大信号模型进行负载牵引,进而获得可以实现高效率最佳的负载阻抗和源阻抗,通过使用渐变式阻抗匹配的方法有效地拓展了功率放大器的带宽,并且保持了较高的效率.通过仿真最终对加工出来的实物分别进行小信号与大信号测试,实测结果表明,在0.8 GHz~3.0 GHz的频率范围内,相对带宽达到116%,小信号S21的实测值为14 dB~18 dB,大信号输出功率为40.15 dBm~42.25 dBm,漏极效率为50.0%~66.3%,增益为9.15 dB~11.25 dB,仿真与实测结果基本一致.

关键词：宽带、功率放大器、高效率、GaNHEMT晶体管

所属期刊栏目：37

分类号：TN454(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：浙江省公益技术研究资助项目2016C31070

在线出版日期：2018-01-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-4