期刊专题

10.13954/j.cnki.hdu.2017.02.001

基于GaN HEMT Doherty宽带功率放大器

引用
研究了宽带Doherty功率放大器设计的相关问题.为了拓宽Doherty功率放大器的带宽,提出了一种新型负载调制网络.采用CREE半导体公司的GaN HEMT功放管CGH40010F,应用新型负载调制网络设计了一款宽带Doherty功率放大器并进行了实物加工测试.主功放工作在AB类,直流偏置Vds=28 V,Vgs=-2.7V;辅功放工作在C类,直流偏置Vds=28 V,Vgs=-5.5 V.测试结果显示,新型宽带Doherty功率放大器实物在1.5~2.3 GHz的800 MHz带宽内,饱和输出功率为42.66~44.39 dBm,饱和效率在52%~66%之间,输出功率回退6 dB处的效率在46%~50%之间,相对带宽为42.1%,且增益平坦,验证了设计方案的可行性.

Doherty功率放大器、宽带、负载调制网络、效率

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TN454(微电子学、集成电路(IC))

浙江省自然科学基金资助项目LZ16F010001;浙江省公益技术应用研究资助项目2016C31070;浙江省大学生新苗人才计划资助项目2016R407065

2017-06-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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杭州电子科技大学学报

1001-9146

33-1339/TN

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2017,37(2)

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