AlGaN/GaN HEMT热形貌分布特性仿真

摘要：

该文从泊松方程、连续性方程和晶格热方程出发,采用商用TCAD软件建立A1GaN/GaNHEMT器件二维模型.针对自加热效应,在不同的直流偏置电压下,对AlGaN/GaN HEMT器件进行了二维数值分析,获得相应的热形貌分布.

关键词：铝镓氮/氮化镓、高电子迁移率晶体管、自加热效应、热分析

所属期刊栏目：31

分类号：TN303(半导体技术)

资助基金：国家重点实验室开发基金资助项目KYH043110023

在线出版日期：2011-12-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-4