绝缘体上硅射频LDMOS的大信号模型研究

摘要：

射频功率器件对整个射频放大电路的性能起到决定性的影响.而这类器件依然没有精确、统一的电路模型.因此,基于分支电路模型建立了一种新型SOI LDMOS的大信号电路模型.该模型是一个非线性电路模型,包括了对直流特性的模拟、S参数的模拟,以及其他有关参数的提取.仿真结果表明该模型能比较精确的模拟RF SOI LDMOS器件的直流特性以及频率特性,所以可以利用这个电路模型辅助射频功率放大器设计,为前端设计的电路仿真提供模型的支持.

关键词：射频横向双扩散场效应管、模型、直流特性、散射参数

所属期刊栏目：29

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：863计划资助项目AA09Z239

在线出版日期：2009-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：8-11