漂移区均匀掺杂SOILIGBT通态电阻模型

摘要：

在研究影响绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管通态电阻物理机制的基础上,将通态电阻分解为沟道电阻、漂移区电阻和缓冲层电阻.计算沟道电阻考虑了沟道两侧耗尽层扩展对沟道电阻的影响.计算漂移区电阻时,将漂移区按载流子的分布分为3个部分,然后分别进行求解.然后综合得到SOI LIGBT通态电阻的近似模型,并讨论了影响SOI LIGBT通态电阻特性的主要因素,最后根据讨论结果提出改善措施.

关键词：绝缘层上硅、横向绝缘栅双极晶体管、通态电阻、耗尽层、调制电阻

所属期刊栏目：27

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金60036030;浙江省自然科学基金y104599

在线出版日期：2007-06-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1-4