密度泛函理论研究SiC与C2H4反应的产物通道

摘要：

在B3LYP/6-311++G(d,p)水平上研究了SiC与乙烯的单重态和三重态反应机理,优化得到了反应物、过渡态、中间体和产物的几何构型;通过振动分析对过渡态和中间体构型进行了确认.在CCSD(T)/cc-pVTZ水平上对计算得到的构型进行了能量校正.计算结果表明,SiC+ C2H4反应在单重态和三重态条件下均可发生,其中单重态反应为主反应通道,1 P5为主产物.

关键词：SiC、密度泛函理论、反应机理、乙烯

所属期刊栏目：76

分类号：TQ0;TK1

资助基金：国家自然科学青年基金项目21101075;山东省优秀中青年科学家科研奖励基金项目BS2012CL008

在线出版日期：2013-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：745-752