类石墨烯二硫化钨薄膜的化学气相沉积法制备及其应用

摘要：

类石墨烯过渡金属硫属化合物如MoS2、WS2、MoSe2、WSe2等因为具有层数依赖的带隙结构而受到了广泛关注.尤其是本征态的WS2为双极性半导体,它同时具有n型和p型电输运特性,有望在电子电路、存储器件、光电探测和光伏器件方面得以广泛应用.近年来,化学气相沉积技术已经被广泛用于制备大面积二维硫属化合物(如MoS2,MoSe2,WS2和WSe2)原子层薄膜.目前关于其他二维材料体系的综述文献介绍较多,但是针对WS2介绍的综述文献还鲜有报道.因此,本文综述了类石墨烯WS2薄膜的化学气相沉积法制备和相关器件的国内外研究进展,讨论了WS2薄膜的化学气相沉积法制备机理及生长因素如硫粉含量、载气的成分、反应温度、基底材料等对薄膜成膜质量的影响,介绍了WS2薄膜在晶体管、光电器件及与其他二维材料构成的异质结构器件的最新研究成果,并对可能存在的问题进行了分析和述评.

关键词：WS2、薄膜、化学气相沉积法、晶体管、异质结构、光电器件

所属期刊栏目：27

分类号：O614.6;O611.4(无机化学)

在线出版日期：2016-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：1578-1590