多孔硅的晶态结构与表征方法
多孔硅的生成过程涉及从完美硅单晶逐渐变为不完整晶体,甚至无定形结构,其结构变化取决于制备条件和硅基底的掺杂类型与浓度.多数研究者利用不同的非原位手段研究多孔硅生成过程中晶态结构的变化,进一步研究其光致发光性能.本文对不同条件下生成的多孔硅的晶态结构进行了归纳总结,比较了透射电子显微镜、X射线衍射技术及拉曼光谱技术3种表征方法的特点及其对晶态结构认识的影响,指出不同微观表征手段的局限性使得众多的报道结果相差较大.最后本文就该领域的发展趋势和急需解决的问题进行了总结.
多孔硅、晶态结构、微区表征
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O649.1;O613.7(物理化学(理论化学)、化学物理学)
国家自然科学基金20433060
2009-11-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
1820-1826