低介电常数介质薄膜的研究进展

摘要：

用低介电常数介质薄膜作金属线间和层间介质可以降低超大规模集成电路(ULSI)的互连延迟、串扰和能耗.从介质极化的原理出发,揭示了开发低介电常数介质薄膜的可能途径;综述了低介电常数介质薄膜的制备方法、结构与性能表征、工艺兼容性等领域的最新进展.

关键词：低介电常数介质薄膜、多孔薄膜、SSQ基介质、纳米多孔SiO2薄膜、含氟氧化硅(SiOF)薄膜、含碳氧化硅(SiOCH)薄膜、有机聚合物介质

所属期刊栏目：17

分类号：O64;TB43;O484.8(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：武器装备预研基金41312040307

在线出版日期：2005-12-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：1001-1011