锑掺杂二氧化锡纳米粉体的制备及性能

摘要：

以SnCl4·5H2O和SbCl3为主要原料,采用化学共沉淀法制得了纳米级的高导电性能的锑掺杂二氧化锡(ATO)超细粉体.研究了制备工艺对ATO粉体粒径和导电性能的影响,并探讨其影响机理,得到最佳工艺参数.运用热重-差热(TG-DTA)、X-射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)等测试方法对ATO粉体进行表征,并将试验产品与国内市场的同类产品性能进行了对比.

关键词：导电粉体、共沉淀法、ATO、纳米材料

所属期刊栏目：24

分类号：TN304.2+1(半导体技术)

在线出版日期：2007-08-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：309-313