Zn、Si掺杂GaAs纳米线的发光性能

摘要：

为探明掺杂对硅基GaAs纳米线发光性能的影响机理,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,以气-液-固(VLS)生长机制为基础,在硅基上实现了 Zn和Si掺杂的GaAs纳米线制备.通过变温、变功率光致发光(PL)等表征手段发现,未掺杂与Si掺杂GaAs纳米线具有更优异的发光质量,带隙随温度的变化规律符合Varshni公式,发光来源为自由激子复合(α＞1).而Zn掺杂纳米线的发光峰出现极大展宽,发光来源为缺陷或杂质相关跃迁(α＜1),峰位随激发功率的变化规律与P1/3成正比.结合透射电子显微镜(TEM)测试结果进一步表明,Zn掺杂纳米线中出现了纤锌矿/闪锌矿(WZ/ZB)混合结构,是导致GaAs纳米线发光质量变差的主要原因.

关键词：材料、发光性能、金属有机物化学气相沉积、掺杂GaAs纳米线

所属期刊栏目：53

分类号：O4723(半导体物理学)

在线出版日期：2024-08-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：234-241