InGaAs单光子雪崩焦平面研究进展(特邀)

摘要：

雪崩光电二极管(APD)是一种高灵敏度光电器件.按照工作电压的不同可分为线性APD和盖革APD.其中,盖革APD的工作电压高于击穿电压,利用半导体材料内部载流子的高雪崩增益可实现单光子级信号探测,也被称为单光子雪崩光电二极管(SPAD).InGaAs材料SPAD在0.9～1.7 μm光谱范围内有高量子效率,是1.06、1.55μm 主动激光探测的理想探测器.通过将高效率InGaAs SPAD阵列芯片与CMOS计时/计数读出电路芯片集成封装,制备的雪崩焦平面探测器可对光子信号进行时间量化,在三维激光雷达、远距离激光通信、稀疏光子探测等领域有广泛应用.介绍了InGaAs单光子雪崩焦平面的器件结构及基本原理,在此基础上回顾了国内外雪崩焦平面技术的研究进展,并对未来发展方向进行了展望.

关键词：InGaAs、单光子探测器、雪崩焦平面、三维激光成像、激光通信

所属期刊栏目：52

分类号：O472+.4(半导体物理学)

在线出版日期：2023-04-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：1-11