碲镉汞高温红外探测器组件进展

摘要：

高工作温度红外探测器组件是第三代红外探测器技术的重要发展方向,可用于高工作温度红外探测器的基础材料主要有锑基和碲镉汞两大类.介绍了昆明物理研究所在高工作温度红外焦平面探测器组件方面的最新研究进展,其中基于碲镉汞材料p-on-n技术研制的高工作温度中波 640×512 探测器组件在 150 K温区性能优异,探测器的噪声等效温差(NETD)小于 20 mK,配置了高效动磁式线性制冷机的高温探测器组件(IDDCA结构),质量小于270 g,探测器组件光轴方向长度小于70 mm(F4),室温环境下组件稳态功耗小于 2.5 Wdc,降温时间小于 80 s,声学噪声小于 27 dB,探测器光轴方向自身振动力最大约1.1 N.目前正在进行环境适应性和可靠性验证,完成后就可实现商用量产.

关键词：高工作温度器件、碲镉汞、锑砷铟、p-on-n

所属期刊栏目：52

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2023-05-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：16-22