期刊专题

10.3788/IRLA20220053

PbS量子点同质P-N结光电探测器

引用
PbS胶体量子点因其带隙可调、可溶液加工、吸收系数高等优异特性而广泛应用于光电探测器领域.然而基于光电二极管结构的PbS量子点光电探测器通常会使用不同的材料来制备N型层,从而增加了器件设计和工艺的复杂性,不利于这类光电探测器未来在面阵成像芯片中的应用.为简化制备工艺,提出了一种PbS量子点同质P-N结光电探测器,仅通过一种工艺过程实现了器件P型层和N型层的制备.经测试,探测器对不同入射光强度的探测表现出了良好的线性响应;在0.5 V反向偏压作用下,器件在700 nm处的响应度为0.11 A/W,比探测率为3.41×1011 Jones,展现出了其对弱光探测的优异能力.结果表明文中提出的PbS量子点同质PN结光电探测器有助于推动其在面阵成像领域中的发展.

PbS胶体量子点、同质P-N结、光电探测器、表面钝化

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TN362(半导体技术)

国家自然科学基金61874137

2022-11-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

259-265

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红外与激光工程

1007-2276

12-1261/TN

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2022,51(10)

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