复合激光损伤CMOS图像传感器实验研究

摘要：

激光是对抗光电侦察的有效方式.为了提高损伤效能,探索了复合激光损伤光电探测器的新思路.分别开展了波长1064 nm和532 nm、脉宽10 ns的激光及其双波长复合激光,以及波长1064 nm、脉宽0.4 ms和10 ns激光及其双脉宽复合激光对CMOS图像传感器的损伤效能实验.结果表明,双波长复合激光对CMOS造成严重损伤时的基频光能量是单独1064 nm激光的77.8％,是单独532 nm激光的62.5％;双脉宽复合激光损伤时,脉宽0.4 ms激光的能量密度降低为单独作用时的1.7％,脉宽10 ns激光的能量密度降低为单独作用时的76.4％.这一发现为多制式复合激光高效光电对抗提供了新的思路和参考.

关键词：光电对抗、复合激光、损伤效能、对比实验

所属期刊栏目：51

分类号：TN248.1(光电子技术、激光技术)

资助基金：国防预研基金;国防科研重点项目

在线出版日期：2022-09-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：217-223