基于MOCVD生长的4.6 μm中红外量子级联激光器

摘要：

中红外量子级联激光器在红外对抗、痕量气体检测、自由空间光通信等领域具有广阔的应用前景,采用MOCVD生长量子级联激光器的方法具有生产效率高、可做再生长、便于多组分生长等优点.报道了可室温连续波工作的中红外量子级联激光器,波长4.6 μm,采用MOCVD生长应变补偿的InGaAs/InAlAs材料.实验探究了不同掺杂对芯片性能的影响,通过优化掺杂浓度提升了器件性能.腔长3 mm,脊宽13 μm的芯片在288 K的温度下,脉冲模式下最大峰值功率达到722 mW,电光转换效率和阈值电流密度分别为6.3％和1.04kA/cm2,在连续模式下功率输出达到364mW.文中成功实现了用MOCVD生长中红外量子级联激光器,为中红外波段的激光应用提供了技术支撑.

关键词：中红外、量子级联激光器、金属有机物化学气相沉积、掺杂优化、连续波工作

所属期刊栏目：51

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2022-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：179-184