InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色红外焦平面探测器

摘要：

InAs/GaSb超晶格材料已经成为了第三代红外焦平面探测器的优选材料.开展了InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色焦平面探测器器件结构设计、材料外延、芯片制备,对钝化方法进行了研究,制备出性能优良的320×256双色焦平面探测器.首先以双色叠层背靠背二极管电压选择结构作为基本结构,设计了中/短波双色芯片结构,然后采用分子束外延技术生长出结构完整、表面平整、低缺陷密度的PNP结构超晶格材料.采用硫化与SiO2复合钝化方法,最终制备的器件在77K下中波二极管的RA值达到13.6kΩ·cm2,短波达到538 kΩ·cm2.光谱响应特性表明短波响应波段为1.7～3 μm,中波为3～5 μm.双色峰值探测率达到中波3.7×1011cm·Hz1/2W-1以上,短波2.2×1011 cm·Hz1/2W-1以上.响应非均匀性中波为9.9％,短波为9.7％.中波有效像元率为98.46％,短波为98.06％.

关键词：InAs/GaSb超晶格、双色、中短波、焦平面阵列、红外探测器

所属期刊栏目：48

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2020-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：91-96