808nm半导体分布反馈激光器的光栅设计与制作

摘要：

半导体分布反馈(DFB)激光器的核心工艺之一是分布反馈光栅的制作,设计了808 nm DFB激光器的一级光栅结构.利用纳米压印技术与干法刻蚀附加湿法腐蚀制作了周期为120 nm的梯形布拉格光栅结构,使用MATLAB和Pics3D软件模拟了一次外延结构的光场分布和能带图.通过优化湿法腐蚀所用腐蚀液各组分比例、腐蚀温度、腐蚀时间等条件,得到了理想的湿法腐蚀工艺参数.扫描电子显微镜表征显示,光栅周期为120 nm,光栅深度约为85 nm,占空比约为47％,光栅边缘线条平直,表面平滑,周期均匀.创新型的引入湿法腐蚀工艺和腐蚀牺牲层使光栅表面的洁净度得到保证,提高了二次外延质量的同时,也为进一步制作DFB激光器高性能芯片奠定了良好的基础.

关键词：半导体激光器、分布反馈、一级光栅、纳米压印、干法刻蚀、湿法腐蚀

所属期刊栏目：48

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：国防科技重点实验室项目6142405041803

在线出版日期：2020-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：41-46