γ辐照导致中波碲镉汞光伏器件暗电流退化的机理研究

摘要：

针对红外探测器在空间应用中受到高能粒子辐照后暗电流退化的问题,开展γ射线对中波碲镉汞(HgCdTe)光伏器件暗电流影响的研究.在室温和77K温度下,利用60Co-γ射线对HgCdTe器件进行辐照试验,辐照试验结束后对低温辐照器件进行77 K低温退火和室温退火.通过比较γ辐照前后和退火后器件的Ⅰ-V特性、R-V特性和零偏动态电阻R0参数,分析了γ辐照对HgCdTe器件暗电流的影响机制.试验结果表明:在总剂量为7 Mrad(Si)照条件下,器件暗电流未出现明显的退化;在77K温度辐照条件下,器件暗电流随着总剂量的增加而增加,且暗电流退化幅度与辐照过程中的偏置有关.研究表明暗电流的退化源于γ辐照在器件中造成电离损伤,导致器件HgCdTe化层中的界面态和空穴陷阱电荷密度增加.

关键词：碲镉汞(HgCdTe)光伏器件、红外探测器、辐射效应、γ射线、暗电流

所属期刊栏目：48

分类号：TN386.5(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;西部之光"人才培养计划;国家自然科学基金

在线出版日期：2019-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：184-191