蝶形天线增强的InP基室温HEMT太赫兹探测器研究

摘要：

采用分子束外延技术制备了InP基HEMT样片,室温下样片迁移率达10 289 cm2/(V·s).通过光刻、腐蚀、磁控溅射、点焊等工艺技术制备出了堞形天线耦合的太赫兹探测器件.器件采用的蝶形天线经HFSS软件仿真优化后,天线Sn参数为-40 dB,电压驻波比(VSWR)为1.15,增益可达6 dB,并与二维电子气沟道实现阻抗匹配.在VDI公司0.3 THz肖特基二极管太赫兹源辐照下进行器件测试,测试结果表明,室温下器件噪声等效功率(NEP)为40 nW/Hz1/2,探测响应度46 V/W,器件响应时间优于330μs.

关键词：太赫兹探测器、高电子迁移率场效应晶体管、磷化铟、蝶形天线、分子束外延

所属期刊栏目：48

分类号：TN215;TN386.3(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家重点研发计划;中国科学院科研仪器设备研制项目

在线出版日期：2019-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：124-130