高量子效率InP/In0.53Ga0.47As/InP红外光电阴极模拟

摘要：

将In0.53Ga0.4As吸收层设计为多个薄层,通过不同浓度掺杂实现吸收层杂质指数分布,建立了InP/In0.53Ga0.47As/InP红外光电阴极模型,在皮秒级响应时间的前提下模拟了吸收层厚度、掺杂浓度和阴极外置偏压对阴极内量子效率的影响,给出了光电子在吸收层和发射层的一维连续性方程和边界条件,计算了光电子克服激活层势垒发射到真空中的几率,进而获得阴极外量子效率随上述三个因素的变化规律,结果表明,吸收层掺杂浓度在1015～1018 cm-3范围内变化时,内量子效率变化很小;随着吸收层厚度在0.09～0.81 μm内增大,内量子效率随之增大;随着外置偏压升高,内量子效率先增大后趋于平稳.文中给出一组既能获得高量子效率又能有快时间响应的阴极设计参数,理论上1.55 μm入射光可以获得8.4％的外量子效率,此时响应时间为49 ps.

关键词：量子效率、响应时间、指数掺杂、红外光电阴极、InP/In0.53Ga0.47As/InP

所属期刊栏目：48

分类号：TN215(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金11475209

在线出版日期：2019-04-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：236-242