915 nm半导体激光器新型腔面钝化工艺

摘要：

针对半导体激光器腔面光学灾变损伤的发生机制,设计了一种单管芯半导体激光器腔面真空解理钝化工艺方法.在真空中解理并且直接对半导体激光器腔面蒸镀钝化膜,提出用ZnSe材料作为单管芯半导体激光器真空解理工艺的钝化膜材料,发现利用真空解理钝化工艺方法和ZnSe材料作为钝化膜可以使器件输出功率提高23％.通过电致发光(EL)对半导体激光器腔面损伤机理进行分析.进一步说明对915 nm半导体激光器制备工艺中引入真空解理钝化工艺技术并且选择ZnSe作为钝化膜可以有效保护半导体激光器腔面,提高器件可靠性.

关键词：半导体激光器、腔面钝化、真空解理钝化、失效分析

所属期刊栏目：48

分类号：TN248(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金61306057

在线出版日期：2019-04-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：66-70