不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应

摘要：

对不同偏置状态下的国产科学级0.18μm工艺掩埋型4T-CMOS有源像素图像传感器进行钴-60射线辐照和退火实验,研究总剂量效应对图像传感器的性能影响,并观察是否存在总剂量偏置效应.着重分析暗电流、满阱容量等参数随累积剂量的变化规律.实验结果表明随着辐照总剂量累加,暗电流前期缓慢增长,之后退化明显加剧,这主要是由于辐照致界面态和氧化物陷阱电荷密度增加.4T-CMOS图像传感器的暗电流主要由来源于STI界面,而辐照导致耗尽区展宽与STI接触使得暗电流增长加剧,同时,辐照导致的耗尽区展宽也引起满阱容量的下降.并且在4T-CMOS图像传感器的实验中没有发现明显的总剂量偏置效应.

关键词：CMOS有源像素传感器、总剂量效应、暗电流

所属期刊栏目：47

分类号：TN386.5(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;新疆维吾尔自治区青年科技创新人才培养工程项目

在线出版日期：2018-11-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：309-313