椭圆高斯分布半导体激光器泵浦被动调Q激光器的优化

摘要：

在考虑泵浦光束和初始反转粒子数椭圆高斯分布的条件下,确定了新的调Q耦合速率方程.在椭圆高斯分布近似下,通过数值分析的方法针对脉冲能量进行优化,首次得到了归一化的脉冲能量和反射镜反射率等关键参数与无量纲变量z的关系曲线.文中以半导体激光器贴近端面泵浦,Cr4++:YAG作为饱和吸收体的Nd:YVO4被动调Q激光器为例进行了脉冲能量优化计算,在小信号透过率为75％,反射率91.8％时,对应最大脉冲能量1.5μJ,峰值功率81 W,脉冲宽度18.4 ns.选用小信号透过率为73.4％的饱和吸收体和反射率为87％的反射镜进行实验验证,得到的脉冲能量为1.25 μJ,峰值功率为76.4w,脉冲宽度为16.3 ns.理论计算与实验结果基本相符.

关键词：椭圆高斯分布、调Q速率方程、数值计算、优化

所属期刊栏目：46

分类号：O436.1(光学)

在线出版日期：2017-05-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：77-83