强激光脉冲辐照对多晶硅片导电性的影响

摘要：

为了减小多晶硅中晶界、位错、微缺陷和过渡族杂质对多晶硅太阳电池效率的不利影响，采用兆瓦级可调谐TEA CO2高功率激光器输出的激光脉冲对硅片进行预处理。使用10μm带不同支线的脉宽约为200 ns红外激光脉冲在20 mm汞柱的氢气氛中对多晶硅片辐照不同的脉冲数，制得25个样品；去除样品的损伤层后，用S2T-2A四探针测试仪测试了各组样品的电阻率，发现所有样品电阻率都有不同程度的降低，其中经P18和P20支线脉冲辐照3个脉冲的样品电阻率下降幅度最大，下降幅度最高达到50%；用高频光电导少子寿命测试仪测试样品的少子寿命，发现所有样品少子寿命都变长，其中经P18和P20辐照三个脉冲后的样品少子寿命增加幅度最大，增幅最高达30%。

关键词：红外激光、多晶硅片、导电性能

所属期刊栏目：45

分类号：TN249(光电子技术、激光技术)

资助基金：四川省科技计划项目SC6014534；乐山市科技攻关项目ZD130541

在线出版日期：2016-07-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：55-59