ZnTe/Si（211）与ZnTe/GaAs（211）异质结构的热应变研究

摘要：

通过理论计算获得ZnTe/Si(211)与ZnTe/GaAs(211)异质结构样品室温下的热应变分布与曲率半径，并采用激光干涉仪测量两个样品室温下的曲率半径。研究发现，在(211)面上进行异质外延，两个互相垂直的晶向方向[1-1-1]和[01-1]的应变分布呈现各向异性，且沿两个方向上的表面曲率半径亦存在差异。ZnTe/GaAs(211)样品的激光干涉测量结果与理论计算较为吻合，均为同一数量级的表面曲率半径方向为负的张应变，ZnTe/Si(211)样品的测量结果则存在较大差异。由于Si衬底在高温脱氧的过程中产生了表面曲率半径方向为正的塑性形变，在一定程度上降低了外延ZnTe后异质结构的弯曲程度，减小了热失配应变。

关键词：热应变、ZnTe、Si、GaAs、异质结构

所属期刊栏目：45

分类号：O47(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61307115；福建省自然科学基金2012J01025；中国科学院红外成像材料与器件重点实验室开放课题IIMDKFJJ-11-04

在线出版日期：2017-03-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：1221003-1-1221003-5