32×32面阵InGaAs Gm-APD激光主动成像实验

摘要：

近十年来，由于盖革模式APD焦平面探测器在探测灵敏度、空间分辨率和距离分辨率等方面的优势，使得面阵APD激光主动成像技术成为国际上的研究热点。考虑到大气传输特性，InGaAs材料或者HgCdTe材料的面阵APD探测器成为研制首选。在国内自研InGaAs材料的32×32像元Gm-APD基础上，搭建了一套1570 nm激光主动成像实验平台，在成像帧频1 kHz、单脉冲能量2 mJ条件下，获得了外场3.9 km目标的轮廓像，在720 m处能获得目标的清晰表面结构距离像。通过该外场实验，证实了国内自研的面阵Gm-APD探测器性能良好，能够演示外场激光主动成像功能。实验结果表明，1570 nm面阵APD激光成像雷达成像性能良好，能够实现远距离目标遥感探测，为未来实际应用奠定了良好的研究基础。

关键词：激光成像雷达、面阵Gm-APD、InGaAs

所属期刊栏目：45

分类号：TN29(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2017-03-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：1206006-1-1206006-5