最大振荡频率640 GHz的70 nm栅长InAs PHEMTs器件

摘要：

由于高的电子迁移率和二维电子气浓度，InP基赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs)器件成为制作太赫兹器件最有前途的三端器件之一。为提高器件的工作频率，采用InAs复合沟道，使得二维电子气的电子迁移率达到13000 cm2/(V·s)。成功研制出70 nm栅长的InP基赝配高电子迁移率晶体管，器件采用双指，总栅宽为30μm，源漏间距为2μm。为降低器件的寄生电容，设计T型栅的栅根高度达到210 nm。器件的最大漏端电流为1440 mA/mm(VGS=0.4 V)，最大峰值跨导为2230 mS/mm。截止频率fT和最大振荡频率fmax分别为280 GHz和640 GHz。这些性能显示该器件适于毫米波和太赫兹波应用。

关键词：InAs沟道、高电子迁移率晶体管、T型栅、最大振荡频率

所属期刊栏目：45

分类号：TN323+.2(半导体技术)

在线出版日期：2016-08-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：0720004-1-0720004-5