CdTe-HgCdTe叠层太阳电池CdS窗口层透射光谱性能研究

摘要：

CdS窗口层光谱透射率的提高对CdTe-HgCdTe叠层太阳电池有效利用入射太阳光并增大电池的短路电流密度有重要的影响。通过研究化学水浴法、近空间升华法和磁控溅射法制备的CdS薄膜在CdCl2退火前后的光谱平均透过率和短路电流密度损失表明：在光谱区520~820 nm，化学水浴法制备的CdS薄膜在退火前后具有最高的光谱平均透过率，对应的CdTe顶电池有最小的短路电流密度损失；在光谱区820~1150和520~1150 nm，磁控溅射法制备的CdS薄膜在退火前后均具有最高的光谱平均透过率，对应的HgCdTe底电池和CdTe-HgCdTe叠层太阳电池有最小的短路电流密度损失。在光谱区520~820、820~1150和520~1150 nm，CdCl2退火可以显著增大CdS薄膜的光谱平均透过率，降低对应CdTe顶电池、HgCdTe底电池和CdTe-HgCdTe叠层电池的短路电流密度损失。

关键词：CdS薄膜、CdTe-HgCdTe叠层太阳电池、可见和近红外光谱、光谱透过率、短路电流密度损失

所属期刊栏目：45

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

资助基金：宁波市科技创新团队项目2011B81004；红外物理国家重点实验室开放课题K201311

在线出版日期：2016-07-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：0621003-1-0621003-6