温度对Si-MCP电化学腐蚀过程中空穴输运的影响

摘要：

在电化学腐蚀硅微通道这一工艺过程中,温度是其中一个很重要的影响因素.通过研究温度对电化学腐蚀硅微通道过程中空穴输运的影响,加深对电化学腐蚀硅微通道这一过程的认识.利用电化学光照辅助阳极氧化法以n型(100)晶向单晶硅为研究对象,设计实验,得到硅微通道阵列在不同温度条件下的I-V特性扫描曲线、孔道的形貌以及孔道的深度;根据晶体中的散射机制的相关原理,研究了温度与载流子迁移率和扩散系数之间的关系;根据实验,得到了暗电流与温度的关系.最后通过对上述实验结果的分析,得出温度越低由空穴输运产生的空穴电流密度就越低,同时暗电流的值也越低,在较低温度下通过电化学腐蚀法制备的硅微通道结构形貌较好.

关键词：硅微通道、电化学腐蚀、空穴输运、迁移率

所属期刊栏目：44

分类号：TN223(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金61107027,61077024

在线出版日期：2015-11-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2774-2777