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10.3969/j.issn.1007-2276.2015.09.038

HfO2薄膜折射率非均质性生长特性研究

引用
在加热的BK7基板上,采用电子束蒸发(EB)工艺制备了一系列不同厚度的HfO2单层膜,对HfO2薄膜生长过程中的折射率非均质性进行了研究.光谱分析表明薄膜非均质性与其厚度息息相关.X射线衍射(XRD)测试表明不同非均质性薄膜对应不同的微观结构;薄膜的微观结构主要由薄膜的生长机制决定.当膜厚较薄时,薄膜不易结晶,呈无定形态,此时薄膜呈正非均质性.如果沉积温度足够高,则薄膜达到一定厚度后开始结晶,此后薄膜折射率就会逐渐下降.随着薄膜继续生长,薄膜晶态结构保持恒定不再变化,非均质性也会因此保持不变达到极值.

光学薄膜、电子束蒸发、HfO2薄膜、折射率非均质性

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O436(光学)

国家自然科学基金61108036,61235011;高等学校博士学科点专项科研基金20100072120037;中央高校基本科研业务费专项资金

2015-11-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

2761-2766

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1007-2276

12-1261/TN

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2015,44(9)

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