发光二极管电子辐照效应的研究

摘要：

研究电子辐照对发光二极管(Light emitting diode,LED)性能的影响.利用电子加速器提供的电子束模拟空间电子辐射环境,试验时电子的能量是1.0 MeV,辐射最大剂量为1伊106 rad(Si).辐照期间,采用异位测试的方法进行光学量和电学量的测量,并进行辐射后退火效应的研究.结果表明:随着辐照剂量的增加,LED的输出光功率近似线性衰减,其正向压降V增大,且不同的试验条件对LED性能损伤的程度不同.此外,辐射停止后的一段时间,器件的性能有所恢复,并趋于稳定.同时利用电子辐照机理对试验结果进行理论分析和讨论.

关键词：发光二极管(LED)、电子辐照、退火效应

分类号：TN36(半导体技术)

在线出版日期：2013-04-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：454-458