256分辨率电阻阵性能测试及非线性校正方法

摘要：

256×256像元MOS电阻阵是红外成像制导系统半实物仿真的核心器件,其芯片的性能直接影响仿真性能和实验结果,而其能测试和非线性修正一直是红外成像仿真领域的关键问题和前沿技术.深入分析了电阻阵主要性能指标的测试方法,在测试和实验的基础上,提出了映射配准和失效像素补偿的算法,设计了基于指数曲线的非线性修正模型,完成了修正补偿工作并进行了测试和分析.结果表明非线性修正算法可行,修正后的MOS电阻阵线性控制特性较好,红外图像灰度层次有较大提高,较好地满足了红外成像制导的仿真需求.

关键词：MOS电阻阵、非线性修正、映射配准、失效像素

所属期刊栏目：41

分类号：V448.25(航天仪表、航天器设备、航天器制导与控制)

资助基金：中国博士后科学基金20090461314;航空科学基金

在线出版日期：2013-02-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2921-2926