两种不同方法测试HgCdTe材料少数载流子寿命

摘要：

通过传统光电导衰退法和微波反射光电导衰退法两种方法对长波、中波及短波碲镉汞材料进行了载流子寿命测试,并对结果进行了比较.通过对比发现这两种方法测得的中波和短波材料的结果相差不大.但是对于长波材料,载流子寿命测试结果相差比较大,主要是因为长波材料寿命比较小,在相同的光激发条件下和偏流下,光电导灵敏度小,从而导致测出的信号小,在拟合的过程中偏差较大,导致载流子寿命相差较大.另外,用两种方法在同一短波材料的不同区域进行测试,传统光电导衰退法在材料电极附近测试结果明显偏小,电极区载流子寿命不到其他部分的50％.说明传统光电导衰退法测试载流子寿命受电极的影响比较大.

关键词：少数载流子寿命、光电导衰退、碲镉汞

所属期刊栏目：41

分类号：TN307;TN362(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60907048;上海市自然科学基金10ZR1434500

在线出版日期：2013-02-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2875-2878