GaAs饱和吸收体的弹性性质的第一性原理

摘要：

基于密度泛函理论的平面波赝势方法,运用Castep软件研究了带有不同本征点缺陷的GaAs饱和吸收体的晶格常数和弹性性质,得到了在不同的点缺陷影响下的GaAs晶体的弹性常数,并采用Voigt-Reuss-Hill方法计算得到相应的体积弹性模量B、剪切模量G,并与理想GaAs晶体的弹性模量数值进行对比.本征点缺陷的存在破坏了GaAs晶体的对称性,使晶格发生畸变,晶格常数变小,弹性常数也不再符合立方晶系的弹性常数模式.GaAs饱和吸收体的脆性降低,延性增强,晶格更容易发生切向形变.计算得到的弹性常数将有助于进一步分析含有复杂缺陷结构的GaAs晶体的弹性性质,并对GaAs晶体作为饱和吸收体用于被动调Q激光器具有理论指导意义.

关键词：弹性性质、GaAs饱和吸收体、本征点缺陷、Castep软件

所属期刊栏目：40

分类号：O474(半导体物理学)

资助基金：国家科技重大专项2008ZX05011;国家自然科学基金60876056

在线出版日期：2012-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1881-1885