日盲型AlGaN PIN紫外探测器的电容特性

摘要：

对采用金属有机化学气相沉积方法生长的p-Al0.43Ga0.57N/i-Al0.43Ga0.57N/n-Al0.7Ga0.3N异质结构上制备的背照射日盲型AlGaN紫外光电探测器进行了光电性能和电容特性的研究.室温下探测器零偏压时的电流密度为0.44 nA/cm2,278 nm的峰值响应率为0.042 A/W.电容频率特性表明:器件电容随着频率的增大先迅速后缓慢地降低,但在频率高于100 kHz后又加速下降.通过器件低频下的电容计算可得,其耗尽层宽度为160 nm,低于设计的本征层厚度.说明器件的本征层没有完全耗尽.因此,未耗尽本征层的高电阻是引起100 kHz附近电容又快速下降的重要原因,由不同频率下1/C2-V曲线的变化关系及其斜率计算的杂质浓度等结果进一步证实了这一结论.

关键词：日盲型紫外探测器、AlGaN、响应率、电容特性

所属期刊栏目：39

分类号：TN312.4(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目60708028,60807037

在线出版日期：2011-03-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：835-838