10cm VGF法GaAs单晶生长过程中热应力的数值模拟

摘要：

采用数值模拟技术模拟了10cm(4 in)VOF法GaAs单晶生长过程中的温场分布、固液界面形貌以及热应力分布.推导得到了固液界面形状与轴向温度梯度和径向温度梯度之间的关系,定义了一个固液界面形状函数,用以表征固液界面偏离度.固液界面偏离度可定义为晶体边缘和晶体中心轴向位置的差值.计算得到固液界面凹(凸)度的临界值,小于该值时,固液界面附近的热应力低于临界分解剪切应力(CRSS).模拟计算了两个时刻的晶体中的热应力分布:当偏离度大于临界值时,晶体中的热应力大于CRSS,反之,晶体中的热应力小于CRSS,验证了理论推导的结果.

关键词：数值模拟、VGF、GaAs、固液界面、热应力、临界剪切应力

所属期刊栏目：39

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家863计划资助项目2002AAF3102

在线出版日期：2010-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：411-413,426